一句话结论：8月中旬，MLCC交期拉长至36周，坐实“高端挤出标准品”；同周，信维通信加码高端MLCC国产替代、Vishay推出Y1贴片安规电容、GaN专利互诉升温。对电容工程师而言，本周最重要的是重查BOM里的通用替代料。

深读一：MLCC交期36周，被挤掉的先是普通规格

据DIGITIMES报道，经销商日电贸（Nichidenbo）称，AI服务器与ASIC应用增长使MLCC等产品供应紧张，部分产品交期拉长至36周，原厂把产能转向高端应用，标准规格产品被挤出排产。这条信号的实质是：紧缺并不均衡，高容、车规等档位优先，通用物料靠后。

同方向上，新浪网报道信维通信以“算力与车规”双轮驱动，加速高端MLCC国产替代。报道未披露料号与参数，但方向明确：算力场景更看重高容值在直流偏压下的有效容量保持，以及纹波承受能力；车规场景更看重宽温与长期可靠性。替代选型必须按工作点实测，而非只看标称容值。

深读二：Vishay把Y1安规电容做成SMD，EMI滤波看耐压与寄生参数

Bisinfotech与Quiver Quantitative报道了同一类新品：Vishay推出SMDY1系列紧凑型Y1陶瓷贴片安规电容，用于工业EMI/RFI抑制。Y1等级对应高脉冲耐压与安全认证要求，SMD化有利于缩小环路、降低寄生电感。对电源、驱动类设计来说，EMI安规电容有了更紧凑的空间方案。

需要克制的地方是，报道未给出具体容值、额定电压与认证编号。Y1安规件替换必须对照官方规格书与认证文件，并重新验证绝缘距离与PCB走线，不能只看外形。

深读三：GaN专利互诉升温，周边电容选型需留冗余

芯智讯报道，当地时间8月10日，纳微半导体在美国德克萨斯州东区联邦地区法院对瑞萨提起专利侵权反诉，指控瑞萨主要GaN产品线侵犯其四项核心专利；7月瑞萨已率先起诉纳微侵犯GaN商业机密。一个月内进入互诉，功率半导体知识产权争夺明显提速。

对电容工程师有两层含义：一是GaN高频开关让电容的ESR、ESL与纹波能力成为选型重点，低ESL封装与就近放置比简单加容更有效；二是专利互诉可能扰动特定GaN方案供货，周边电容设计应有第二来源。

另据芯师爷报道，IICIE国际集成电路创新博览会9月将在深圳举办，主打半导体全链聚合，适合集中观察GaN/SiC等功率器件方案，并据此判断周边电容的选型方向。

工品电容网观点：本周主线是“高端挤占通用、参数决定替代”。替代验证应从标称容值转向工作点参数，实测有效容值、耐压余量与纹波能力。本站持续维护高容MLCC、Y1贴片安规与低ESR功率电容的替代数据。