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B32656S7225J561 1250V DC, 2.2µF | 高频吸收 IGBT 尖峰抑制、驱动保护

发布时间:2026-03-19

B32656S7225J561 1250V DC, 2.2µF 产品介绍

轨道交通IGBT 尖峰抑制、驱动保护专用电容器B32656S7225J561,额定1250V DC, 2.2µF,高频吸收特性。该产品采用先进薄膜技术,适用于高铁牵引系统、地铁辅助电源、动车组控制电路等场景。

技术特点

  • 额定参数:1250V DC, 2.2µF
  • 技术特性:高频吸收
  • 工作温度:-40℃~ 125℃
  • 设计寿命:>100,000小时
  • 应用领域:IGBT 尖峰抑制、驱动保护

应用范围

该型号广泛应用于轨道交通电力电子系统,包括:

  • 高铁牵引变流器DC-Link支撑
  • 地铁辅助电源系统滤波
  • 动车组牵引逆变器输出
  • 轨道交通信号保护

上海工品作为专业轨道交通电容器供应商,提供B32656S7225J561系列产品的技术咨询、选型指导和售后服务。