在轨道交通IGBT 尖峰吸收、驱动保护领域,B32656S7155J561以其卓越的性能参数成为行业首选。该产品采用先进薄膜技术,额定1250V DC, 1.5µF,具备高频低损耗特性。
该型号广泛应用于:
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 型号 | B32656S7155J561 |
| 额定参数 | 1250V DC, 1.5µF |
| 特性 | 高频低损耗 |
| 应用 | IGBT 尖峰吸收、驱动保护 |
| 工作温度 | -40℃ ~ +125℃ |
| 设计寿命 | >100,000小时 |
上海工品作为专业轨道交通电容器供应商,提供B32656S7155J561系列产品的技术支持和售后服务。